三星首次展示3nm工艺芯片，采用GAAFET技术

近日，在国际固态电路大会中，三星首次展示了3nm工艺芯片，芯片采用了GAAFET技术，中文名为环绕栅极场效应晶体管技术，这也是三星首次采用该技术。

此次展出的芯片是一颗256GB容量的SRAM存储芯片，这也是3nm工艺首次落地。该芯片采用的是GAAFET中的MBCFET技术，它具备超低功耗，写入电流只需要区区0．23V。

此次2nm工艺相较于7nm来说，晶体管密度增加最多80％，性能提升最多30％，或者功耗降低最多50％。有消息称，三星的3nm工艺芯片将于明年开始量产，其他消息并没有宣布。不过根据高通骁龙888处理器的情况，首批3nm芯片实际使用效果有待商榷。