全球5nm旗舰芯片大翻车！但这个锅：却要芯片代工厂商背了？

【1月28日讯】导语，自从小米、IQOO、三星等知名手机厂商纷纷推出了骁龙888旗舰手机以后，也让很多消费者以及各大评测机构，开始对高通首款旗舰级5GSOC有了全面认知，但似乎各大评测机构都给出了一致的答案，那就是高通骁龙888处理器翻车了，为何这么说呢？因为高通骁龙888处理器整体性能提升并不明显，但功耗、发热量方面却明显增加，并没有将5nm工艺优势彻底地发挥出来，甚至还不如7nm工艺骁龙865芯片的性能表现，当然不仅仅是高通骁龙888处理器存在翻车问题，其实麒麟9000、苹果A14、三星猎户座2100等芯片产品，都存在或多或少的发热、功耗过大的问题，但这三款芯片的翻车现象都没有高通骁龙888处理器那么严重。

为何全球5nm工艺的旗舰芯片都会出现翻车现象呢？

根据业内人士透露，这也是因为目前三星、台积电5nm工艺制程均采用了老迈的鳍式场效应晶体管（FinFET）技术，所以在芯片制程工艺越来越高的情况下，晶体管的沟道长度也将会被进一步缩短，从而出现短沟道效应，造成漏电现象发生，进而出现发热、功耗过大的问题，但如今三星、Intel均纷纷表示，将会在未来的3nm工艺制程（Intel则在5nm工艺制程）中，采用全新的环绕栅极晶体管（GAAFET）技术，以解决目前老迈的鳍式场效应晶体管（FinFET）技术存在的短板问题。

确实从目前台积电、Intel、三星等芯片代工巨头的实力来看，都无法解决鳍式场效应晶体管（FinFET）技术的短板问题，因为在采用越来越先进芯片制程工艺下，其晶体管的沟道长度也将越短，进而出现漏电现象，但全新的环绕栅极晶体管（GAAFET）技术则可以解决这个问题，因为环绕栅极晶体管（GAAFET）技术的阈值电压会低很多，所以可以减少发热量以及功耗过大的问题；

但从目前台积电方面来看，似乎台积电还会继续死守鳍式场效应晶体管（FinFET）技术，毕竟以目前台积电5nm、7nm工艺芯片的发热、功耗表现来看，确实也是更加优秀。

最后：对于全球5nm旗舰芯片出现翻车现象一事，各位小伙伴们，你们对此都有什么样的看法和意见呢？欢迎在评论区中留言讨论，期待你们的精彩评论！