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来源:半导体前沿发布时间:2021-01-12656浏览
询问 AI2021年1月12日，日经亚洲评论引述未具名消息人士报导，长江存储计划在2021年下半年，将存储器芯片的月产量倍增至100000片硅晶圆，约占全球产量的7%。相较之下，全球最大NAND Flash存储器制造商三星的月产出为480000片硅晶圆，美国最大存储器厂商美光(Micron Technology, Inc.)则月产180000片硅晶圆。
除了扩产现有芯片之外，长江存储也打算加快技术研发进程，消息透露，长江存储最快2021年中就会试产第一批192层3D NAND Flash存储器，而目前该公司生产的是64层与128层的芯片。虽然计划可能拖延至2021年下半年，也需要时间确保量产品质，但这项时间表对于中国本土芯片业者而言仍是一大进步。三星、美光仍在努力开发176层3D NAND，能够量产的最先进版本则是128层芯片。长江存储计划中的192层芯片，定义上确实比三星、美光还先进，但某市场观察人士依旧抱持谨慎态度，认为应看看长江存储产品的效能、品质能否超越行业领导者。
长江存储是在2020年4月宣布开发完成，并于同底量产128层NAND。消息显示，目前其良率约70%，依旧有改善空间。长江储存的客户包括联想集团及华为。
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3 天前
2026-07-11