美国会通过2021年国防授权法，鼓励在美兴建先进晶圆厂！

美国国会通过2021年《国防授权法》(NDAA)。该法案包括数十亿美元的财政刺激，用于与半导体制造、组装、测试、先进封装或研发有关的设施的建设或现代化。支持者认为该法案将有助于美国芯片制造业的复兴。

据IEEE Spectrum报导，该法案中的半导体激励措施源于美国官员对中国大陆在全球芯片制造业的占比迅速成长的担忧，并将此视为美国国家安全问题。尽管中国并未在芯片制造方面取得技术领先地位，但拥有最先进制造技术的台积电与三星电子(Samsung Electronics)与中国相邻。

就算没有NDAA，美国也已朝最先进晶圆厂迈进一步。台积电在2020年5月宣布9年内将斥资120亿美元在亚利桑那州兴建一座5纳米晶圆厂。

但美国半导体产业协会(SIA)表示，政府激励措施将加速晶圆厂投资。SIA估计，为期10年的200亿美元激励计画将催生14座新晶圆厂，并吸引1,740亿美元的投资。若无联邦激励措施，则会催生9座晶圆厂并吸引690亿美元投资。而500亿美元的激励计画将催生19座晶圆厂，吸引2,790亿美元投资。

除非国会和美国总统同意，否则NDAA规定每个计画的上限为30亿美元。但实际上在微电子产能上花费的总金额将取决于单独的拨款法案。

除了激励措施，NDAA还授权微电子相关研发，开发可证明安全的微电子供应链，建立国家半导体研究技术中心以将新技术引入工业设施，以及建立委员会以制定建立最先进技术产能的战略。该法案还授权量子运算和人工智能(AI)计画。

一些业内人士反对该法案的早期构想，认为其过于狭隘地专注于尖端矽CMOS。工业界游说国会以让该法更具包容性，包括潜在地允许扩建工厂，例如SkyWater Technology位于明尼苏达州的12寸晶圆厂。

Skywater政府关系主任John Cooney表示，该法案的后期版本中的用语显示，美国政府仍想追求先进节点，但同时知道美国现有的制造能力需获支持，并且仍能在提高美国竞争力方面发挥重要作用。

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