创纪录！闪存堆叠176层

美光刚刚宣布了其第五代3D NAND闪存技术，达到了创纪录的176层堆叠。这也是美光、Intel在闪存合作上分道扬镳之后，自己独立研发的第二代3D NAND闪存。

美光、Intel合作时，走的是浮动栅极闪存单元架构，独立后转向电荷捕获(charge-trap)闪存单元架构，第一代为128层堆叠，但更多的是过渡性质，用来发现、解决新架构设计的各种问题。

正因如此，美光全新176层堆叠闪存所取代的，其实是96层堆叠。

据了解，美光176层闪存其实是基于两个88层叠加而成，第一批为TLC颗粒，单个Die的容量为512Gb(64GB)，当然后期很可能会加入QLC。

得益于新的闪存架构和堆叠技术，美光将176层的厚度压缩在了45微米，基本和早期的64层浮动栅极3D NAND差不多。

这样，即使在一颗芯片内封装16个Die，做到1TB的单颗容量，厚度也不会超过1.5毫米，可以轻松放入智能手机、存储卡。

传输速率提高至1600MT/s，而此前96/128层的都是1200MT/s，读写延迟相比96层改进35％，相比128层改进25％，混合负载性能相比96层改进15％。

美光表示，176层闪存已经量产出货，并用于一些Crucial英睿达品牌的消费级SSD，明年还会发布更多新产品，但没有确认具体产品型号。

免责声明

本平台所刊载的所有资料及图表仅供参考使用。刊载这些文档并不构成对任何股份的收购、购买、认购、抛售或持有的邀约或意图。投资者依据本网站提供的信息、资料及图表进行金融、证券等投资项目所造成的盈亏与本网站无关。除原创作品外，本平台所使用的文章、图片、视频及音乐属于原权利人所有，因客观原因，或会存在不当使用的情况，如部分文章或文章部分引用内容未能及时与原作者取得联系，或作者名称及原始出处标注错误等情况，非恶意侵犯原权利人相关权益，敬请相关权利人谅解并与我们联系及时处理，共同维护良好的网络创作环境。