IC设计：CMOS器件及其电路

作为一个微电子专业的IC learner，这个学期也有一门课：《微电子器件》，今天我就来聊聊基本的器件：CMOS器件及其电路。在后面会聊聊锁存器和触发器。

今天的主要内容如下所示：

·MOS晶体管结构与工作原理简述

·CMOS单元电路与版图

·CMOS门电路

·CMOS的功耗表示

老实说，CMOS比较偏微电子器件，微电子器件还真难...这里我就说一些做数字设计或许要了解的东西吧(以后要是有必要，会补充)。

1、MOS晶体管结构与工作原理简述

我们或多或少知道，晶体管在数字电路中的主要作用就是一个电子开关，通过电压或者电流，控制这个“开关”开还是关。晶体管大概有两种分类：一种是双极性晶体管(BJT，bipolar junction transistor)，另外一种是金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET或者MOS，metal-oxide-semiconductor field effect transistor)。我们这里主要来聊聊MOS了，那个BJT在现在数字IC设计中已经不是主流工艺了。

①MOS晶体管分为PMOS和NMOS，是哪一类MOS取决于衬底和掺杂浓度。至于是怎么形成的，这太复杂了，简单的三言两语说不清楚，这里干脆就不说了，我们直接来看他们的截面图和简单地讲解它们的工作原理好了(以下均以NMOS为例)。

NMOS晶体管的横截面结构如下所示：

 

 

最底层是硅晶元圆衬底(substrate)(Body Si那里),最顶上是导电的栅极(gate)，中间是二氧化硅构成的绝缘层。在过去栅极是由金属构成的，因此叫做金属-氧化物-半导体，现在的栅极使用的是多晶硅(poly)。MOS结构中，金属(多晶硅)与半导体衬底之间的二氧化硅会形成一个电容。

好吧，上面那一段看不懂也没关系，也不重要，需要你记住的是，上述的NMOS晶体管中，衬底是P型的，衬底上有两个n型的掺杂区域分别称为源极(Source)和漏极(Drain)(其实你把左边定义为漏而右边定义为源也没有问题，因为这个时候这个器件是对称的，在连接电源和地之后，S和D才真正确定),中间最上面的称为栅极(Gate)，这就是NMOS的三个电极了(实际上的MOS是一个4端器件，它的衬底也是一个端)。下面来说一下他们怎么工作。

前面我们说了，晶体管的作用就是大致就是一个开关，在电流或者电压的控制下进行开和关，对于NMOS晶体管，我们现在给它加上电压，让它开始工作

加上电压后，所谓的源极，就相当于电子的源头;所谓的漏极，就相当于漏出电子的开口;而中间的栅极，就像控制开关一样：一方面通过控制在栅极施加的高电平电压，使源漏之间出现沟道，电子通过沟道从源极流向漏极，电流的方向也就是从漏到源了，从而进行导电，也就是“开关”打开的的时候(由于是形成的N沟道，也就是电子导电，因此成为N型CMOS)。另一方面再通过控制在栅极施加低电平电压，让沟道关断，因此就源漏之间就关断了，也就是“开关”关断的时候。上面就是NMOS的结构和工作流程了。(PMOS的工作流程恰好相反：通过控制在栅极施加的低电平电压，进行打开，而通过控制在栅极施加高电平电压，让沟道关断。)

注意：栅极的电压达到一定数值时，沟道才会形成，沟道形成时的电压称为阈值电压(Vth)。

②下面我们来看一下I-V特性曲线(注意这两个称呼，一个是转移特性曲线，一个是输出特性曲线)：

在前面我们知道，对于NMOS，源极(S)是接地的，漏极(D)是接数字电源的，在工作的时候，一般Vds是不变的，然后根据栅极(G)上的电压决定沟道是否导通。工作的时候，Vg的值(也就是输入信号的电压值)是一个定值，要么高电平(可能有波动)，要么是低电平，从这里我们也知道NMOS工作的时候，是有电流从电源(VDD)流到地(GND)的(也就是从D流到S的)，在电源电压不变的时候，这个电流随着栅极上的电压增大而增大。

③接着我们看看MOS的内部自个形成的电容(寄生电容)，

主要分为：

(1)栅和沟道之间的氧化层电容C1;

(2)衬底和沟道之间的耗尽层电容C2;

(3)多晶硅栅与源和漏的交叠而产生的电容C3 和C4;

(4)源/漏区与衬底之间的结电容C5与C6。

好吧，其实这些个MOS这个电容我们看看就好了，毕竟我们不是做器件的。

2、CMOS单元电路与版图

在现在工艺中，我们主要使用的是成为CMOS(互补型半导体，Complementary MOS)的工艺，这种工艺主要就是把PMOS和NMOS这两类晶体管构成一个单元，称为CMOS单元或者反相器单元，其结构把PMOS和NMOS同时集成在一个晶元上然后栅极相连，漏极相连，下面是它的结构图(关于电路符号和功能将在后面讲)：

在上图中，左边是NMOS，右边是PMOS。A是共连栅极输入，Y是共连漏极输出，VDD连接PMOS的源极，GND连接GND。

下面电路符号图了，上面的那个CMOS反相器对于的电路符号图如下所示：现在我们就来分析一下这个CMOS反相器的工作原理来说明这个为什么CMOS工艺是主流吧：

A当输入信号A=1时，PMOS关断，NMOS打开，输出信号Y的电压相当于GND的电压，也就是Y=0;在这个过程中，从VDD到GND这一个供电回路都没有导通，因此理论不存在电流从VDD流到GND，因此功耗为0.

B当输入信号A=0时，PMOS打开，而NMOS关闭，输出信号Y=VDD=1，但是从VDD到GND这一个供电回路也没有导通，因此理论上也不存在电流从VDD流到GND，因此功耗也为0。

C因此可以得出，理论上反相器进行传输信号时，没有功耗(好吧，我们应该这样说：功耗极其地低)，这就是为什么使用CMOS的工艺的原因。

然后下面的NMOS的源极通过通孔跟金属连在一起(绿色跟蓝色通过X连在一起);NMOS和PMOS的漏极通过通孔连接到同一块金属上面然后当做输出。

PMOS的源极通过通孔连接到金属然后连接到了数字电源上。

3、CMOS门电路

①CMOS非门：上面的一个CMOS单元的功能就是非门的功能了，因此CMOS非门也就是这个CMOS的单元，也称为反相器。其电路结构就是反相器的电路结构。

②(二输入)CMOS与非门(NAND)：

数字逻辑电路都可以由上面的三种电路化简构成，也就是说一个电路可以由NAND或者NOR电路构成，我们来看看他们的特点来推导数字CMOS电路的特点。

容易知道(反正我们就当做结论好了)：

此外我们也注意到，使用到与功能的时候，NMOS网络是串联的;使用或功能时，NMOS网络是并联的。因此可以这么记忆：要NOMS都一起，才能一起(与)，只要NMOS其中一个就可以(或)，与还是或，可以根据NMOS的串并结构判断。

然后设计多少个输入的NXXX门，就把多少个NMOS串/并联起来，然后PMOS就是并/串就可以了。

4、CMOS的功耗表示

功耗是单位时间内消耗的能量，在数字系统中的功耗主要包括静态功耗和动态功耗，我们将从CMOS电路角度聊聊静态功耗和动态功耗。

CMOS的静态功耗：当CMOS不翻转/不工作时的功耗。在CMOS都不工作时，也就是晶体管都处于截止状态的时候，从VDD到GND并不是完全没有电流流过的，还是有些微电流从电源流到地，这个静态电流Idd称为电源和地之间的漏电流，跟器件有关(至于漏电流是怎么引起的，这里就不再阐述了)。初中的时候，我们就学过P=UI，因此静态功耗就可以这样表示 :

 

 

CMOS的动态功耗是信号在0和1变化之间，电容充放电所消耗的功耗。我们知道，不仅仅CMOS器件有寄生电容，导线间也有电容。将电容C充电到电压Vdd所需要的能量CVdd^2。如果电容每秒变换f次(也就是电容的切换频率为f，在一秒内，电容充电f/2次，放电f/2次)，由于放电不需要从电源那里获取功耗，

PS：上面主要是列举了一些主要的功耗，比如动态功耗中除了翻转时电容消耗功耗外，还有在栅极信号翻转的时候PMOS和NMOS同时导通引起的短路功耗。

这里不一一陈述，主要是考虑上面的那两种功耗。也许后面记载低功耗设计的时候会详细说明一下。