HBM堆叠层数飙升引发散热难题，三大厂商各显神通

据报道，随着英伟达新一代AI平台Vera Rubin步入量产环节，高带宽内存市场的竞争焦点正逐渐从单纯的堆叠层数转向底层技术攻坚，芯片内部的热管理成为HBM5时代各大厂商突破的关键。

当前AI硬件迭代速度不断加快，AMD与英伟达的新一代AI服务器GPU单芯片功耗已接近1000W。同时，HBM4的堆叠层数达到12至16层，而HBM5更是计划向20层迈进。然而，堆叠层数的增加会导致HBM内部热量严重积聚，进而引发芯片降频、算力衰减以及整机稳定性下滑等问题。为此，下游核心客户已明确要求供应商强化散热管理能力。

在解决方案方面，SK海力士推出了iHBM散热技术，通过在芯片内部集成冷却元件并开辟直通散热通道，使热阻下降超30%，并计划将其应用于HBM5及后续迭代产品。三星电子则在台北国际电脑展上展示了HBM5原型，并发布了HPB散热方案。该方案将导热块嵌入多层DRAM裸片之间，形成类似烟囱的独立散热通道。此技术已在第七代HBM4E上完成验证并于5月底交付样品，可降低16%的热阻，其HBM5预计于2028年左右量产。美光侧重于低功耗设计，采用硅通孔沟槽冷却技术，在AI加速器硅芯片内部蚀刻微型沟槽供冷却液循环，以减少内部热量积累。

业内观点认为，散热技术的升级将推动高导热材料与先进封装制程的需求增长，进而重塑半导体供应链。低功耗与热管理技术将成为未来HBM研发的核心方向。