三星电子开始向全球主要客户交付首批12层HBM4E样品。三星电子内存开发执行副总裁兼负责人黄相俊指出，该产品的推出展现了公司的技术迭代能力。依托内存研发、晶圆代工及先进封装等全产业链布局，后续将依据客户进度推进规模化量产，以满足全球人工智能市场的增量需求。
作为HBM4的升级版本，HBM4E主要针对人工智能超高负载运算场景中的散热、能效及性能进行了优化，可为大型语言模型和超大规模数据中心等应用提供硬件支持。在制造工艺方面，该产品采用了三星第六代10纳米级DRAM工艺以及4纳米代工逻辑芯片，借助成熟的量产技术提高了生产稳定性和良率。此外，通过升级封装结构和低功耗设计，其热阻性能改善超过14%，能效提升16%，从而保障数据中心在长时间高负载下的稳定运行并降低能耗。
在容量与性能指标上，12层HBM4E的基准引脚速度达到14Gbps，最高可扩展至16Gbps，单堆栈内存带宽为3.6TB/s，整体性能比上一代产品提高20%以上。存储容量方面，12层版本的标准配置为48GB，比前代增加30%以上。同时，该产品还提供8层32GB和16层64GB等多种规格，以适配不同人工智能设备的存储需求。
