据韩媒Etnews上周（5月12日）报道，三星电子正在开发下一代HBM（高带宽内存）技术，目标是在智能手机和平板等移动设备中实现更高性能的端侧AI能力。业内人士透露，三星正在研发一种多层堆叠FOWLP（扇出型晶圆级封装）技术，以应对移动设备对大容量、高带宽内存的需求。
目前，主流的LPDDR内存普遍采用引线键合技术，但该技术存在IO数量有限、信号损耗较大以及散热效率不足的问题，难以满足HBM技术的要求。三星计划改进VCS方案，将芯片内部铜柱的比例从3:1~5:1提升至15:1~20:1，从而在有限面积中容纳更多铜线，进一步提升带宽。
然而，当铜柱直径低于10微米时，容易出现弯曲或断裂等不稳定现象。为此，三星引入FOWLP技术进行补强。通过模塑工艺对芯片进行加固，同时将布线向外扩展，以支撑铜柱并防止变形。
据透露，如果该方案能够成功验证，理论上可将带宽提升15%-30%，并在相同空间内容纳更多I/O接口。尽管该技术仍处于研发阶段，但业内预计，三星可能会在Exynos 2800后期版本或Exynos 2900中集成相关技术。
