据韩媒Newsis报道，SK海力士在4月28日于韩国首尔举办的「超越HBM先进封装核心技术：从新一代基板到模块」论坛中透露，其应用于高带宽存储器（HBM）的混合键合技术良率已显著改善。SK海力士优秀工程师金钟勋表示，通过混合键合堆叠的12层HBM已完成验证，目前正为量产做进一步准备。
混合键合技术通过铜对铜（Cu-to-Cu）与介电层对介电层直接键合，无需使用凸块或焊料，可缩短互连路径，降低寄生电阻与电容，从而提升信号完整性、数据传输速率和带宽。此外，该技术还能有效降低功耗并改善散热表现。相比传统微凸块方案，混合键合还能减少芯片间距与堆叠高度。
尽管技术优势明显，但混合键合技术的经济成本仍是主要挑战。SK海力士计划在HBM4时代开始导入混合键合技术，预计2026年下半年或2027年起逐步扩大应用。在此之前，SK海力士将通过优化MR-MUF（Mass Reflow Molded Underfill）技术作为过渡方案，以满足客户需求。目前，SK海力士已掌握可让16层HBM3E符合高度标准的相关技术。
业界普遍认为，随着16层产品的商用化推进，混合键合技术将在未来存储器市场中扮演重要角色。然而，成本效益仍是技术普及的关键考量因素之一。
