由软银（SoftBank）成立的次世代存储器开发公司SaiMemory，近日宣布其研发项目已被日本政府的新能源产业技术综合开发机构（NEDO）选为支持对象。据日经新闻（Nikkei）和东京电视台（TV Tokyo）报道，SaiMemory的“高密度、高带宽、低耗电ZAM（Z-Angle Memory）开发”项目，已正式纳入NEDO主导的“后5G资通信系统基础建设强化研究开发事业”计划。
ZAM是一种创新的堆叠DRAM架构，旨在解决人工智能（AI）和高效能运算（HPC）领域中存储器的瓶颈问题。该技术基于美国英特尔（Intel）在美国国防高等研究计划署（DARPA）资助下开发的半导体堆叠技术，目标是实现大容量、低功耗的存储器性能。
目前，AI数据中心主要采用高带宽存储器（HBM），市场由韩国SK海力士（SK Hynix）、三星电子（Samsung Electronics）和美国美光（Micron）主导。然而，随着AI需求激增，HBM供不应求的问题日益突出。SaiMemory的ZAM技术通过纵向排列存储器芯片，并采用无线连接技术，据称可降低约40%的功耗，同时提升散热性能。
在NEDO的支持计划中，SaiMemory担任主导单位，美国英特尔作为共同执行者，日本理化学研究所（Riken）则作为合作研究伙伴。此外，SaiMemory于4月22日宣布完成约40亿日圆（约2,590万美元）的资金募集，投资方包括富士通（Fujitsu）、日本政策投资银行（DBJ）、理化学研究所和软银。
该计划预计在2027年度前投入约80亿日圆（约5,180万美元）用于开发产品原型，并计划在2029年度完成量产体系的建设。
