三星加速HBM4E芯片研发，预计5月交付英伟达

据业内人士透露，三星电子正加速推进其下一代高带宽存储器HBM4E的研发进程，计划最早于5月生产出首批样品。在完成内部验证后，这些芯片将交付给英伟达，用于其Vera Rubin AI平台。

三星的目标是通过第七代HBM产品，进一步巩固其在快速增长的人工智能内存市场的地位。据悉，三星晶圆代工部门预计将在5月中旬生产出HBM4E的逻辑芯片样品。这些组件随后会被转移到内存部门，与DRAM进行封装。完成封装的样品将在交付客户前接受严格的内部性能评估。

今年3月，在GTC 2026大会上，三星曾展示过HBM4E芯片的实物。不过，业内人士认为，当时展示的芯片更偏向于演示用途，尚未达到商业性能要求。据透露，HBM4E芯片的每引脚传输速度预计可达16Gbps，带宽提升至4.0TB/s，较上一代HBM4有显著改进。

三星计划采用4nm制程工艺制造逻辑芯片，并搭配10nm（1c级）DRAM芯片，以确保技术领先性。与此同时，竞争对手SK海力士也在加速HBM4E的研发，试图通过更先进的工艺抢占市场。

此前，三星在HBM3E市场的表现未达预期，因此此次加紧推进HBM4E的研发与量产，旨在避免重蹈覆辙。英伟达的Vera Rubin AI平台将使用HBM4和HBM4E，虽然生产计划有所调整，但三星正全力配合，以满足客户需求。