三星加速HBM4E开发，预计2026年5月交付首批样品

据韩媒Chocun Biz援引业界消息称，三星电子正加速推进第七代高带宽存储器（HBM4E）的开发进程，计划于2026年5月生产首批样品。据悉，三星晶圆代工事业部将在5月中旬前完成逻辑裸晶样品的生产，并移交存储器事业部，随后与HBM4E用DRAM一同封装制成完整样品。

三星的目标是在完成内部效能评估并确认达到标准后，将样品交付给NVIDIA。尽管三星曾在2026年3月的NVIDIA GTC 2026大会上展示过HBM4E实物，但当时业界普遍认为该产品仅为展示用途，尚未达到客户要求的实质性效能标准。

此次加速开发显示了三星抢占下一代HBM市场的决心。三星在HBM4E上延续了此前HBM4的先进制程策略，逻辑裸晶采用4纳米晶圆代工制程，DRAM则采用10纳米级1c DRAM制程。虽然为提升效能新增了一些细部制程，但整体技术被认为比首次导入先进制程的竞争对手更为成熟稳定。

业界分析指出，尽管NVIDIA搭载HBM4与HBM4E的AI芯片Vera Rubin系列发布可能有所延迟，但三星正全力投入下一代市场，以避免重演在HBM3E产品中失去竞争优势的局面。