摩根士丹利（大摩）在最新发布的“大中华半导体产业”报告中指出，2026年下半年，旧世代MLC与TLC NAND将面临约40%的供给短缺。这一现象的核心原因在于全球主要供应商持续缩减成熟制程产能。大摩强调，传统闪存正逐步成为“下一个DDR4”，在存储器产业中，旧世代NAND的重要性显著高于DDR4。
从价格趋势来看，大摩预测，2026年全年MLC及成熟制程TLC的价格涨幅可能超过200%。这一增长的主要支撑点在于MLC相较于TLC/QLC更高的耐用性，以及工业和企业级应用对价格敏感度较低的需求韧性。相比之下，DDR4的价格涨势在延续至今年3月后，中小型客户开始反弹。然而，供应商更倾向于清理库存而非延后出货，导致DDR4后续价格上涨空间有限。
在供给端，DDR4价格的高涨促使厂商调整产能。相关企业计划在2026年提升DRAM位元出货量，部分厂商预计在2027年下半年引入新产能。例如，CXCC预计2027年DDR4产能将提升一倍以上。然而，需求端的压力不容忽视。价格上涨已对智能手机和PC等消费场景造成冲击。此外，DDR4缺乏直接适配AI应用的能力，难以从AI算力扩张中获益。
据摩根士丹利报告显示，存储器市场的供需格局正在发生显著变化，旧世代NAND的市场地位或将持续提升。
