据韩媒ET News报道，三星电子计划在第六代高带宽存储器（HBM4）的晶圆切割工艺中引入飞秒激光技术。这一技术的导入旨在大幅提升切割精度，从而增强半导体产品的品质与良率，进一步巩固三星在HBM4市场的竞争力。
据悉，三星已准备发出采购订单，初期将引进至少10台飞秒激光晶圆切割设备，涵盖雕沟（grooving）和全切割（full cut）两种类型。这些设备预计将部署于天安厂区，用于先进半导体封装工艺。业内人士透露，三星还在评估是否追加订单，以扩大设备应用规模。由于此类设备的交货周期长达8个月以上，此举也被视为三星为抢占市场先机的策略之一。
飞秒激光技术的脉冲速度可达1秒的1000万亿分之一，相比传统的机械切割或纳秒激光，能够实现更精细的切割效果。该技术不仅避免了对先进半导体电路和线宽极细的布线造成影响，还能大幅减少切割过程中产生的异物，从而提升最终产品的品质。
事实上，三星早在2025年第二季度便已开始在部分半导体切割工艺中试用飞秒激光技术，当时仅引入数台设备。经过验证，其在性能和生产力方面的提升效果显著，因此决定扩大应用范围。未来，三星计划优先将飞秒激光切割技术应用于HBM4制程，以进一步提升良率和生产效率。此外，三星也在评估是否将该技术推广至NAND Flash及系统半导体等其他产品线。
设备供应商方面，韩国EO Technics与日本Disco公司预计将承担主要订单。业内人士指出，随着全球半导体制造商对飞秒激光切割技术需求的不断增长，这两家供应商之间的竞争也将愈发激烈。
