据韩媒IT Chosun报道，SK海力士正评估是否将台积电3纳米制程应用于其第七代高带宽存储器（HBM4E）的逻辑裸晶。此举意在追赶三星电子在HBM4市场中已建立的性能优势。然而，业内分析指出，这一决策可能面临“量产时程”与“成本问题”两大风险。
目前，三星在HBM4中采用自家4纳米逻辑裸晶，并成功导入1c DRAM实现量产，其HBM4E芯片速度达16Gbps，带宽高达4TB/s，计划于2026年第3季供应样品，第4季量产。相较之下，SK海力士选择台积电12纳米制程搭配1b DRAM，性能略显逊色。
为扭转局面，SK海力士考虑在HBM4E中导入3纳米与1c DRAM制程。然而，台积电3纳米产线已被移动设备核心客户订单占据，SK海力士在2026年第4季获得产能的可能性极低。此外，台积电3纳米制程的晶圆单价远高于上一代，逻辑裸晶制作成本可能增加3~4倍。若三星以成本优势压低售价，SK海力士的获利能力将受到严峻考验。
业内相关人士透露，即使在SK海力士内部，也有观点认为在HBM4E这一代超越三星难度较大，或许将希望寄托于第八代HBM5更为实际。
