三星计划2026年将平泽产线超五成产能用于HBM4生产

据韩媒《韩国经济》援引业界消息，三星电子计划在2026年将其位于韩国平泽的晶圆代工产线超过50%的产能，用于生产自家第六代高带宽存储器（HBM4）的基础裸晶。这一决定标志着三星将优先满足内部需求，而非外部客户订单。

平泽晶圆代工产线的月产能约为3万片晶圆，采用4~7纳米的“准先进制程”，是三星的核心生产线之一。此前，HBM的基础裸晶主要由三星存储器事业部负责生产。然而，随着NVIDIA、AMD和OpenAI等客户对HBM4性能要求的大幅提升，三星选择将HBM4基础裸晶的生产转移到晶圆代工事业部，并采用4纳米制程，同时引入新技术以增强电源稳定性。

业界分析认为，三星此举是为了应对HBM4市场需求的快速增长。尽管此前三星更倾向于生产服务器用DRAM模块，但随着HBM4价格涨幅超出预期，增加HBM4产量已成为必然选择。此外，NVIDIA、AMD和OpenAI等客户的需求持续攀升，也为三星提供了强劲的市场动力。

三星晶圆代工事业部的稼动率预计将因此大幅提升。目前，该产线的稼动率已超过90%，而随着内部订单的增加，HBM基础裸晶的生产数量也将逐年增长。未来，在HBM4E及定制化HBM等次世代产品领域，三星有望继续获得更多合作机会。