三星HBM4E亮相，直指NVIDIA需求

据报道，三星电子在NVIDIA GTC 2026上首次展示了第七代高带宽存储芯片（HBM4E），以及面向Vera Rubin平台的完整解决方案，旨在通过整合垂直制造能力，深化与英伟达的合作。
三星在展会现场以HBM4为核心，同步展出了HBM4E实体芯片。该芯片采用1c DRAM与4纳米逻辑工艺，传输速度达到11.7Gbps，并可扩展至13Gbps。
HBM4E在HBM4基础上进一步优化，速度最高可达16 Gbps，带宽达4.0 TB/s。目前，HBM4E已通过1c DRAM与4纳米工艺提升稳定性，预计2026年内完成样品交付。

此外，三星还展示了HBM5模型，计划首次引入铜制散热路径模块（HPB）技术，以提高能效。在封装技术方面，三星展示了面向16层HBM4E的混合键合技术（HB），相比热压键合（TCB），该技术可降低20%以上热阻，支持16层以上堆叠。目前，三星已与主要客户展开技术交流。
业内分析指出，三星在HBM领域一度落后于SK海力士。为追赶竞争对手，三星正积极导入先进技术。例如，HBM4逻辑芯片率先采用4纳米工艺，未来可能推进至2纳米工艺设计。同时，三星在HBM4中采用1c纳米工艺，并计划在混合键合等新一代封装技术上进行更多尝试。
与之相对，SK 海力士通过与台积电合作生产HBM逻辑芯片，更侧重技术经验积累与成本优化，采用1b DRAM及12纳米工艺，走出了与三星不同的技术路线。
在系统级整合能力上，三星强调自身是全球唯一可实时供应Vera Rubin平台全系列存储及内存产品的厂商。在英伟达Gallery展区，三星展出了Rubin GPU用HBM4、用于Vera CPU的SOCAMM2及存储产品PM1763。
SOCAMM2基于LPDDR5X技术，结合低功耗与模块化设计，提供更高带宽与能效，主要面向AI数据中心市场。目前，三星已率先启动192GB产品量产，美光与SK海力士也分别展示了256GB和192GB版本。

此外，三星推出的服务器用固态硬盘PM1763采用PCIe 6.0技术，整合第九代V-NAND与4纳米主控芯片，作为Vera Rubin平台的主力存储设备。三星还通过搭载该产品的服务器，演示了SCADA（监控与数据采集系统）负载场景，直观体现其高效性能。

为提升推理性能与能效，三星还计划为Vera Rubin平台的CMX模块供应PCIe Gen5 SSD PM1753，并在AI Factories展区进行了展示。三星表示，推动AI工厂创新需要依靠高效能AI系统，未来将持续推出先进存储解决方案，与英伟达共同引领全球AI基础设施升级。
通过整合存储芯片、晶圆代工、系统LSI及先进封装技术，三星正着力打造差异化竞争优势，满足客户对低功耗、高带宽与可扩展性的需求。

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