美光科技推出HBM4内存，已批量出货

据报道，2026年3月16日，美国存储芯片巨头美光科技正式宣布，其已于2026年第一季度开始批量出货HBM4 36GB 12H内存。该产品专为英伟达（NVIDIA）Vera Rubin平台设计，引脚速度超过11 Gb/s，带宽超过2.8 TB/s，相比HBM3E，带宽提升了2.3倍，能效提升超过20%。

美光还展示了其先进的封装技术，可将16颗HBM芯片堆叠在一起，并已向客户交付了HBM4 48GB 16H的样品。与HBM4 36GB 12H产品相比，这一技术使每颗HBM芯片的容量提升了33%。

美光科技执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana表示：“下一代人工智能将由整个生态系统通过联合工程创新开发的紧密集成平台定义。我们与英伟达的紧密合作确保了计算和内存从一开始就能协同扩展。”

美光SOCAMM2专为英伟达Vera Rubin NVL72系统和独立Vera CPU平台设计，每个CPU可实现高达2TB的内存和1.2 TB/s的带宽。美光是首家量产PCIe Gen6数据中心级SSD的公司，其9650 SSD针对能效和液冷环境进行了优化，采用英伟达BlueField-4 STX参考架构，支持高达28 GB/s的顺序读取吞吐量和550万随机读取IOPS。美光7600和9550 SSD为客户提供PCIe Gen5 SSD，扩展了他们的架构设计选择。