据韩媒Dealsite援引业界消息，三星电子大幅上调了2026年12层第六代高带宽存储器（HBM4）的良率目标，从原先的60%提升至85%。这一调整被认为与生产HBM4的1c DRAM良率改善取得显著进展有关。
目前，三星在冷测试（cold test）标准下已实现60%的良率，这使得重新设定目标显得合理。通常情况下，70%-80%的良率是确保稳定生产和获利能力的关键。而HBM4在量产阶段需达到约50%的良率才能实现损益平衡。尽管如此，HBM4仍处于量产初期，正式产能提升阶段的表现仍需观察。
分析指出，三星采用先进制程，相较于SK海力士和美光，更容易面临初期良率问题。例如，三星12层HBM3E的量产良率仅为70%，而HBM主要产品中很少有达到80%良率的情况。
2025年9月，三星以少量晶圆进行HBM4用1c DRAM样品测试时，良率仅维持在30%左右，导致量产系统建立被推迟。当时，NVIDIA也因担忧良率过低可能引发品质问题而采取观望态度。然而，随着制程优化逐步推进，研发样品良率在2025年11月提升至50%。考虑到良率通常在制程后段下降的特性，三星在量产初期达到60%的良率，表明改善工作取得显著成效。
业界人士认为，即使仅正确应用一个良率改善点，也可能让良率提升近双位数的百分点。因此，三星将2026年末良率目标定为85%并非不现实。良率的提升对三星盈利能力具有正面作用，据悉，DRAM良率每提高1个百分点，每批量（lot）可增加数千万韩元的额外收益。
