三星计划在HBM4E中采用2纳米制程

据韩媒Money Today、ZDNet Korea援引业界消息，三星电子正计划在下一代高带宽存储器（HBM）HBM4E的基础裸晶上采用2纳米制程。这一技术升级预计将在2026年中推出标准版HBM4E，并根据客户需求，在2026年下半年推进定制化产品的首批晶圆投产。

从HBM4开始，基础裸晶的角色发生了显著变化，从单纯的控制功能扩展到直接处理部分运算任务，其重要性大幅提升。为了增强运算效率和能源管理能力，逻辑功能得到了进一步强化，这也促使基础裸晶逐渐转向更先进的晶圆代工制程。

此前，三星在HBM4中已采用1c DRAM制程，并由三星晶圆代工提供4纳米逻辑基础裸晶，这一技术领先于SK海力士HBM4基础裸晶所采用的台积电12纳米制程。随着制程技术的不断微缩，基础裸晶在功耗效率、散热管理和面积利用效率方面均实现了显著提升，为定制化HBM的实现奠定了基础。

台积电和SK海力士也在积极布局HBM4E的定制化产品。台积电计划在定制化产品中导入最新的3纳米制程，而SK海力士则在开发相关技术。三星此次评估的2纳米基础裸晶被视为在HBM4E阶段率先采用更先进制程，以确保技术领先地位的重要策略。

业界普遍认为，真正的定制化HBM将从HBM4E开始正式登场，这也将成为AI半导体领域竞争的重要节点。