据韩媒Theelec援引业界消息，三星电子计划于2026年3月中旬停止其位于韩国华城园区12号产线的2D NAND Flash生产。这标志着三星最后一处2D NAND生产据点的关闭，也象征着其2D NAND时代的正式结束。未来，该产线将被改造为1c DRAM用End Fab，用于提升DRAM生产效率。
三星曾于2002年率先实现1Gb NAND的全球量产，成为NAND市场领导者。随后在2013年，三星成功量产3D V-NAND，推动行业技术向垂直堆叠结构转型。如今，随着3D NAND技术的普及，2D NAND需求急剧下滑，主要厂商已全面转向3D制程。三星在2025年第4季财报电话会议中提到，将逐步淘汰平面（Planar）NAND生产，以集中资源发展先进制程。
据悉，华城12号产线目前以12英寸晶圆为基准，月产能约8万~10万片。自2025年起，三星已向客户通报停产计划。未来，该产线将分担华城其他DRAM产线的后段制程任务，助力提升整体生产效率。
此次调整也是三星扩大DRAM产能的重要举措之一。三星正在平泽与华城同步推进1c DRAM投资。其中，平泽P4厂原为混合型晶圆厂，可生产DRAM、NAND及晶圆代工产品，但近期已将重点转向DRAM。此外，华城现有产线也在逐步将旧制程转换为1c制程。业界预计，待相关投资完成后，1c DRAM在三星整体DRAM产能中的占比将显著提升。
