据业内人士透露，随着存储半导体价格全面飙升，三星电子正面临如何平衡HBM（高带宽存储器）与通用DRAM生产的抉择。作为业内生产能力最大的企业，三星电子拥有较强的盈利能力，尤其是在部分通用DRAM产品的利润已超过HBM的情况下，其生产策略调整备受关注。
报道称，三星电子计划维持“双轨”策略，既不会将产能完全集中于HBM，也会稳步维持通用DRAM的生产规模。据市场研究公司TrendForce数据，今年第一季度DRAM价格环比上涨幅度从最初的55%-60%上调至90%-95%。分析认为，PC出货量超预期增长带动了对PC DRAM的需求，从而推动价格上涨。与此同时，HBM4的供应价格已飙升至700美元，比HBM3E高出约30%，预计也将带来可观盈利。
为应对市场需求，三星电子正在加速提升关键材料1c DRAM的生产能力，并将平泽园区P4（4号工厂）的完工日期从原计划的明年第一季度提前至今年年内。据悉，三星电子目前总DRAM产能的70%分配给了通用DRAM，但随着今年进入英伟达HBM供应链，其HBM生产比例预计将显著提高。不过，由于整体产能扩大，通用DRAM在总销售额中的份额也有望保持稳定。
业内人士透露，三星电子每几个月会根据客户需求审查并调整HBM与通用DRAM的生产比例，以实现利润最大化。
