据韩媒报道，三星电子近日宣布已成功量产并出货第六代高带宽存储器（HBM4），提前夺下“全球首发”头衔。此举标志着三星在HBM3与HBM3E阶段落后SK海力士3年后，正式吹响反攻号角。
综合韩媒首尔经济、New Daily等报道，2026年2月12日清晨，三星天安园区内大型无震动卡车正进行全球首批HBM4量产产品的出货。据悉，这些HBM4将搭载于NVIDIA的次时代AI加速器Vera Rubin。三星的半导体前段制程通常在平泽或华城园区进行，而HBM关键的堆叠与封装等后段制程则在天安园区完成最终收尾。
三星表示，此次出货的HBM4运作速度最高达13Gbps，远超业界原预期的11.7Gbps，相较JEDEC标准的8Gbps快46%，也较前一代HBM3E的9.6Gbps提升超过35%。由于性能甚至超越NVIDIA要求的规格，市场传出，在HBM3E阶段审慎评估三星产品的NVIDIA，在测试三星HBM4样品后，反而主动要求提前量产时程。
回顾三星HBM发展历程，可谓荣辱交织。2019年，DRAM在超级循环结束后价格暴跌，加上三星决策体系更重视管理与效率而非技术，因此投入成本削减与获利防守。当时，三星HBM虽技术优秀，但短期无法创造获利，专责团队遭到缩编。相较之下，当时竞争对手SK海力士并未停止HBM研发投资。于是到2022年，ChatGPT问世引爆AI热潮后，SK海力士率先抢占HBM3市场，成为NVIDIA主要供应伙伴，三星则在追赶过程中面临难以缩小的技术差距。
转机出现在2025年5月，当时工程师出身的全永铉接任半导体暨装置解决方案（Device Solutions；DS）部门负责人后，宣示要恢复被财务逻辑压制的技术领导力。其修正追赶策略，认为与其执着于改良已落后的HBM3E，不如抢先开发能颠覆局势的次时代规格HBM4，以期改写市场规则。
此外，三星的目光更已转向下一个战场，除将在HBM4量产同时于2026年下半推出次时代HBM4E样品，更将自2027年起正式进军定制化HBM（cHBM）市场。业界人士表示，HBM4是三星在前一代产品失利后痛定思痛、以性能再次出击的关键成果，将成为其“失落3年”的关键分水岭。
不过，也有观点指出，此次HBM4的抢先全球出货能否转化为“供应信任恢复”，关键仍在未来的供货分配与交期履约表现。
