SK海力士开发AIP技术，突破300层以上NAND制造瓶颈

据媒体报道，在NAND闪存堆叠层数迈向300层以上的技术竞赛中，SK海力士正全力推进一项名为AIP（All-In-Plug）的次世代制程技术。该技术旨在解决高堆叠层数带来的成本与良率难题，为未来存储器制造提供经济可行的解决方案。

传统NAND制造工艺中，高深宽比接触孔（HARC）蚀刻流程需多次执行，步骤复杂且成本高昂。AIP技术的核心创新在于将多段关键蚀刻整合为单一工序，大幅简化流程并提升生产效率。这一突破不仅优化了成本结构，还为更高层数的堆叠奠定了技术基础。

在2026年韩国半导体大会（SEMICON Korea）上，SK海力士副总裁李成勋（Lee Sunghoon）指出，传统制程已无法满足未来NAND技术的发展需求，必须构建能够预测次世代工艺难度的技术平台。AIP技术将率先应用于V11等新一代NAND产品，显著减少蚀刻次数，助力300层以上堆叠技术的量产。

当前，SK海力士在高端市场通过HBM技术占据优势，但主流NAND领域的竞争愈发激烈。面对美光、三星以及中国厂商CJCC的挑战，SK海力士亟需通过AIP技术巩固其成本优势。若该技术顺利实现量产，有望重新定义NAND制造模式，进一步提升SK海力士在全球存储器市场的综合竞争力。