据韩媒《韩国经济》援引业界消息，三星电子正计划在韩国平泽四厂（P4）大规模增设10纳米第六代（1c）DRAM产线，以满足第六代高带宽存储器（HBM4）的需求。三星的HBM4已通过NVIDIA的品质测试，但能否确保1c DRAM产能成为关键。
三星计划到2027年第一季度在P4工厂构建1c DRAM新产线，预计月产能达12万片。三星计划通过堆叠12颗1c DRAM芯片制造HBM4，其效能稳定性和量产成熟度将直接影响HBM4的市场竞争力。
目前，三星已在2025年建成月产6万至7万片的HBM用1c DRAM产线。若2026年全面投产，HBM4用1c DRAM月产能将达19万片，占三星整体DRAM产能的24%。据业内人士估算，此轮1c DRAM设备投资金额高达数十万亿韩元。
与此同时，负责生产HBM4最底层基础裸晶（base die）的平泽晶圆代工产线“S5”4纳米制程，其稼动率已接近上限。三星正加速推进平泽园区新建的第五工厂（P5）外观工程。
此外，三星计划在扩大HBM4用1c DRAM产量的同时，增加通用型1c DRAM的供应量。由于各大存储器厂将产能重心转向HBM，导致通用DRAM供给收缩，目前应用于服务器和AI智能手机的通用DRAM价格已接近HBM水准。
三星正评估进一步扩大通用1c DRAM产量的制程转换投资。业内人士透露，三星计划将华城园区17产线大幅转换为1c DRAM制程。
相比之下，SK海力士更注重“时代组合”，可能先以1b制程巩固HBM市场主导权，再将1c制程作为后续策略筹码。短期内，SK海力士将优先掌握已验证制程带来的出货量和获利能力，再逐步将1c制程导入服务器DRAM和后续HBM产品。
