在全球存储芯片供应紧张的背景下，长鑫存储与长江存储正加速推进扩产计划，以缩小与三星电子、SK海力士及美光等国际巨头的差距。
据日经亚洲报道，长鑫存储正在大规模扩建其上海工厂，预计总产能将达到合肥总部的2至3倍，主要用于生产服务器、汽车电子及消费电子领域的DRAM芯片。新工厂计划于2026年下半年安装设备，并于2027年正式投产。
与此同时，长鑫存储还在积极布局高带宽存储器（HBM）生产线，以应对美国限制对AI关键零部件供应的影响。知情人士透露，长鑫存储位于合肥和北京的工厂目前已处于满负荷运转状态，主要受益于国内企业对存储芯片的强劲需求。此外，长鑫存储已于2025年底提交IPO申请，计划募资295亿元人民币，用于支持其扩产和技术研发。
长江存储则在武汉第三座工厂的建设中进行了重大调整。据消息人士透露，该工厂将有50%的产能转向DRAM生产，并与本土企业合作开发用于AI计算的HBM产品。长江存储已完成自有DRAM产品的研发，通过调整制程技术，利用相对成熟的设备，有效规避了外国出口管制带来的设备获取难题。
一名为长江存储供货的企业人士表示，长江存储早在两年多前便开始研发自有DRAM技术，目前已具备一定的技术积累和市场基础，未来生产高品质DRAM和HBM只是时间问题。
