长鑫长存齐冲IPO，国产存储双巨头加速扩产

国内存储芯片领域的两家头部企业长鑫科技与长江存储，正同步加快在资本市场的布局步伐。据悉，长鑫科技近期已顺利通过科创板上市审核，而长江存储也完成了IPO辅导备案流程。这两家厂商即将先后登陆资本市场，使得国产存储产业再次成为半导体行业的焦点。当前，业界的关注点已从早期的国产替代，逐渐转向这两家企业能否通过技术迭代、产能扩充和产品优化，在全球市场中占据更有利的位置。

在NAND Flash方面，长江存储近年来不断深化Xtacking架构的研发。与传统3D NAND设计不同，该架构将存储阵列与外围控制电路分开制造，随后通过晶圆键合技术连接，从而有效提高了存储密度和I/O性能。据公开资料显示，该企业已成功开发出294层3D NAND产品，传闻其量产良率已突破90%，并正向着更高层数的堆叠技术迈进。得益于企业级固态硬盘、数据中心以及人工智能应用需求的拉动，其出货规模稳步增长。据Counterpoint Research统计，2026年第一季度全球NAND市场总营收约为460亿美元（约合人民币3123.07亿元），长江存储的市场份额已升至13%左右，跻身全球核心NAND供应商行列，与闪迪、美光等美系厂商处于同一梯队。

在DRAM领域，长鑫科技也在稳步推进先进工艺与产品迭代。根据其招股说明书披露，旗下的长鑫存储已实现16纳米级别（D1z）DDR5产品的量产，并正积极研发下一代DRAM及高带宽存储器（HBM）技术，以期打入AI服务器和高性能计算市场。相关机构数据显示，2026年第一季度长鑫科技在全球DRAM市场的份额达到8%左右，同比有所增长，但与三星、SK海力士及美光等国际三大巨头相比仍有一定距离。此外，长鑫的营收结构正在优化。以往主要依赖智能手机LPDDR产品，如今随着AI服务器和数据中心需求的爆发，DDR5等服务器相关产品的营收占比已超30%。尽管手机相关的LPDDR产品仍贡献了六成以上的营收，但企业级和AI应用的重要性正日益凸显。

在产能规划上，据市场消息透露，长鑫正持续推进合肥基地的扩产项目，长江存储武汉三期项目的产能也在稳步爬坡。面对AI服务器、企业级SSD及大容量DRAM的旺盛需求，两家企业正双管齐下扩充产能。在此过程中，半导体设备的国产化进程备受瞩目。受海外出口管制影响，长鑫与长江存储均在加速引入国产设备。据国内供应链消息，长鑫目前的设备国产化率已达40%至50%；长江存储武汉三期新厂的国产设备采购比例则超过50%。特别是在刻蚀和薄膜沉积等核心工艺环节，国产设备的渗透率已突破60%。业内分析认为，随着国产设备在刻蚀、薄膜沉积、清洗及量测等领域的技术日益成熟，存储原厂引入国产设备的意愿不断增强，这有助于降低供应链风险并提升扩产的灵活性。不过，在高端光刻、量测及部分核心工艺设备方面，目前仍由海外厂商主导，短期内实现全面国产替代仍面临较大挑战。

存储芯片行业具有明显的周期性波动特征。未来如果AI带动的需求增速放缓，或者行业产能再次出现供大于求的局面，如何保持盈利能力并持续进行研发投入，将是两家企业需要共同应对的考验。市场分析指出，两家企业同步推进上市进程，有助于进一步扩大其在全球市场的影响力。

注：按1美元≈6.79人民币计算