SK海力士计划2026年2月量产HBM4用1b DRAM

据韩媒Chosun Bis援引业界消息，SK海力士正加速推进用于第六代高带宽存储器（HBM4）的1b DRAM量产计划，预计最快将于2026年2月启动产能提升。这一举措旨在满足NVIDIA对HBM4的需求，特别是在其次世代AI加速器上市前确保关键组件的全面供应。

SK海力士计划在2026年底前，通过其M15X工厂新增每月4万片晶圆的产能，同时推动M16工厂的制程转换。业内人士分析，这一时间表与NVIDIA的HBM4需求高度契合，显示SK海力士已基本满足NVIDIA对HBM4效能规格的严格要求。

与此同时，三星电子也宣布将于2026年2月开始量产HBM4，并采用领先一代的1c DRAM制程，同时在逻辑裸晶上导入4纳米技术，预计在产品效能上占据优势。而SK海力士则凭借稳定的良率和商业性，试图在供应速度和市场竞争力上占据先机。

尽管2026年的HBM4供应合约已在2025年签订，但哪家公司能率先提供完全符合NVIDIA要求的HBM4产品，将成为衡量技术实力的重要指标。SK海力士此举也被视为巩固其在HBM市场领先地位的战略布局。