力积电与美光合作加速DRAM制程升级

力积电近日宣布，与美光签订合作意向书后，已迅速启动DRAM制程精进计划，以满足下游存储器IC设计客户对高容量、高速度DRAM的迫切需求。这一计划旨在抓住存储器市场缺货与价格上涨的商机。

据力积电透露，其新竹12寸晶圆厂区目前每月拥有5万片存储器产能，主要采用2x纳米制程为客户提供DRAM和Flash代工服务。随着全球DRAM市场因AI应用的爆发而呈现长期供不应求的趋势，力积电近月来感受到客户强烈的需求压力，因此决定推进存储器制程升级的新投资计划。

为加速进程，力积电董事会已通过增资案，用于采购新设备以提升DRAM制程。这一计划将与铜锣厂售予美光的交易及双方战略合作协议同步推进。合作协议预计在第二季签署，待力积电股东会通过后，将迅速展开设备采购作业，升级P3厂现有的DRAM生产线，月产能超过3万片。

力积电指出，根据双方签署的意向书，力积电将长期为美光提供DRAM后段先进封装代工服务，同时美光也将协助提升P3厂的DRAM制程技术。这一技术升级计划的快速实施，将有助于力积电在DRAM代工领域的稳步发展。

此外，力积电还将支持国内外存储器设计企业开发高规格产品，同时提升其WOW（晶圆堆叠）代工服务的竞争力，以满足大型终端客户在AI应用领域的需求。