长鑫存储将于2026年量产HBM3，国内设备厂商加速布局

据韩媒ChosunBiz援引业界消息，中国半导体设备厂商正加速布局高带宽存储器（HBM）相关设备的研发与生产。长鑫存储计划于2026年量产第四代HBM（HBM3），这一目标推动了北方华创、迈为科技及华卓精科等设备厂商在HBM生态链上的全面发力。

HBM通过堆叠多层DRAM实现高性能存储，其制程涉及蚀刻、封装等复杂技术，与传统DRAM有显著差异。由于美国对先进半导体设备出口的限制，HBM相关设备的获取成为国内存储器产业的一大挑战。目前，全球仅有三星电子、SK海力士与美光三家企业具备HBM量产能力。

为突破技术瓶颈，国内厂商正积极构建自主设备生态。北方华创作为国内蚀刻设备市场的龙头企业，不仅提供蚀刻设备，还扩展至薄膜沉积、清洗设备等核心制程领域。迈为科技则专注于开发混合键合设备，这是次世代HBM生产的关键技术之一。华卓精科则在HBM封装设备方面取得进展，助力存储器产业向高端领域迈进。

与此同时，长江存储也在研发用于HBM的矽穿孔（TSV）技术，进一步推动存储器产业从通用DRAM向HBM专用制程转型。业内人士指出，中国设备厂商已在大部分DRAM制程设备上实现自制化，但HBM所需的蚀刻与封装设备仍需进一步优化。

随着长鑫存储HBM3量产计划的推进，国内存储器产业正逐步缩小与国际领先水平的差距，为本土AI半导体企业提供更多支持。