长鑫存储HBM技术加速追赶，中韩差距缩至三年

据韩媒《首尔经济》援引业界消息人士说法，长鑫存储在高带宽存储器（HBM）领域的研发正在持续推进，目前与三星电子、SK海力士等韩国头部企业的技术差距已缩小至大约三年。

报道指出，尽管长鑫存储的第四代高带宽存储器（HBM3）目前仍处于测试阶段，原定量产进程有所推迟，但相关研发工作并未停滞。此前市场曾有观点认为该公司因技术瓶颈放弃了HBM3的开发，但实际上只是产品良率有待提升，其技术实力已逐渐接近韩国厂商的HBM3水平。在相关政策的强力推动下，长鑫存储正大力扩张产能。预计到2026年底，其12英寸晶圆月产能将达到30万片，约占全球总供应量的14%，这一规模将与美光科技相当。

不过，从韩国两大存储巨头的最新进展来看，三星电子与SK海力士均已迈入HBM4的量产阶段。因此，业内评估认为，中韩双方在HBM领域的实际技术代差仍保持在三年以上。此外，三星电子在COMPUTEX 2026展会上首次展示了HBM5实体模型并公布了相关技术路线图，显示出其巩固下一代产品领先地位的意图。

在市场需求方面，英伟达首席执行官黄仁勋近期发布了首款面向个人电脑的AI芯片N1X。这一举措有望进一步激发市场对高性能存储芯片的需求，从而为三星电子和SK海力士带来新的业务增长空间。