QLC（Quad-Level Cell）NAND是一种“四层存储单元”闪存技术，与TLC、MLC和SLC等其他类型相比，其主要区别在于每个存储单元的数据承载量。据相关资料显示，QLC技术能够在一个物理存储单元中存储4位数据，从而在相同的空间内提供更高的存储容量，同时降低单位存储成本。
然而，QLC技术也面临一些挑战。由于每个存储单元需要精确控制16种不同的电压状态，其结构复杂性显著增加，可能导致延迟增加或性能下降。此外，QLC的擦写次数（P/E Cycle）约为1000次，耐用性和寿命相对较低。
为了解决吞吐量和耐用性问题，群联提出了一种解决方案，即通过加入SLC缓存（SLC Cache）。数据可以先写入缓存区，然后再转移到QLC存储单元，从而有效应对消费者的工作负载需求。
QLC、TLC、MLC及SLC的最大差异在于存储单元的数据承载量，这也直接影响了它们的性能和适用场景。
