据韩媒IT Chosin援引知情人士消息，三星电子应用于第六代高带宽存储器（HBM4）的10纳米级1c DRAM良率已提升至约60%，并成功跨越损益平衡点。这一进展为HBM4的量产奠定了坚实基础，同时也表明三星在良率与速度之间选择了“速度优先”的策略。
据悉，三星在1c DRAM冷测试中取得50%良率后，已按计划于2025年12月解散了负责提升良率的特别任务小组（TF）。该小组约400至500名成员被重新分配至平泽产线及现有技术团队。尽管短期内良率尚未完全稳定，但三星管理层仍决定优先快速进入NVIDIA供应链，以抢占市场先机。
业界将三星此次量产策略解读为“重返速度战”。这一策略标志着三星摆脱了过去对良率稳定性和量产转换的谨慎态度，回归到只要达到一定良率便迅速投入量产的传统风格。
据知情人士透露，NVIDIA对三星在HBM4开发与量产转换速度上的表现感到满意，认为其快于竞争对手。这也促使双方整体合作节奏发生了变化。此外，三星内部普遍认为，其1c DRAM在量产进度上已领先于其他厂商。
目前，关键在于通过NVIDIA的品质测试。据业界消息，NVIDIA已在2025年第4季向三星与SK海力士传达了上调HBM4供应标准的要求。两家公司正根据NVIDIA的需求，优化HBM4在功耗效率、散热管理及处理速度等核心性能指标。
