随着高带宽存储器（HBM）市场竞争的重点从DRAM逐渐转向定制化设计，SK海力士正全力推进定制化高带宽存储器（cHBM）的研发，并计划为HBM系统单芯片（SoC）部门招募具备丰富经验的专业人才。
据韩媒Theelec报道，SK海力士近期发布了招聘公告，目标是吸引在HBM核心基础裸晶（Base Die）设计领域拥有5年以上经验的专家。此举旨在强化公司在cHBM领域的设计能力，以进一步巩固其市场地位。
SK海力士的“SoC部门”专注于研究cHBM的基础裸晶结构，并基于研究成果设计基础裸晶。在HBM中，基础裸晶位于多层DRAM下方，负责控制和管理存储器层，并通过硅中介层与CPU/GPU等运算处理器连接，以实现高效的数据传输。
基础裸晶在HBM的性能表现中起着至关重要的作用。HBM的带宽、延迟和功耗不仅取决于DRAM，还依赖于基础裸晶对数据调度、I/O控制和信号管理的能力。因此，基础裸晶是实现HBM差异化和定制化的核心所在。
SK海力士正通过cHBM提前布局未来人工智能芯片市场。韩国业界也在探讨新一代cHBM是否可能采用“将运算处理器完全集成到基础裸晶”的设计方案。韩国电子通信研究院（ETRI）半导体暨显示器本部长黄泰浩指出，尽管业界已尝试将运算处理器集成到基础裸晶中，但连接不同制程的DRAM和运算处理器可能带来发热和信号完整性下降等问题，因此接合技术和封装技术将成为关键。
