据Wccftech报道，英特尔近期展示了一项全新的先进封装解决方案，旨在吸引第三方客户，与台积电在晶圆代工市场展开竞争。该方案结合了Intel 18A和Intel 14A制程节点，以及Foveros 3D和嵌入式多芯片互连桥接（EMIB-T）技术，专为高效运算（HPC）、人工智能（AI）和数据中心应用设计。
英特尔的新技术亮点包括采用RibbonFET 2和PowerDirect技术的14A-E制程逻辑架构，以及首款通过背面供电提升逻辑密度和供电可靠性的18A-PT制程晶圆基底。此外，Foveros Direct 3D技术通过混合式接合实现超细间距的精密3D堆叠，而新一代EMIB-T技术则借助矽穿孔（TSV）提升带宽和芯片整合能力。
在展示视频中，英特尔公开了两款先进封装芯片方案。一款芯片配备4个运算模块和12个HBM界面，另一款则拥有16个运算模块及24个HBM界面。LPDDR5X控制器的数量也显著提升，较大型方案最高可达48个。
业界分析认为，英特尔此次展示的14A制程主要面向第三方客户，而18A制程则主要用于内部产品。尽管英特尔希望通过这些技术展现其在晶圆代工市场的竞争力，但实际成效仍有待观察。此前，英特尔的Ponte Vecchio芯片因良率问题多次延宕，未能实现商业化成功。未来14A技术能否赢得更多客户订单，仍需时间验证。
台积电方面则已规划A16制程节点，支持9.5倍光罩尺寸和12个第六代高带宽存储器（HBM4E）的CoWoS技术，继续巩固其在先进封装领域的优势。英特尔能否成功挑战台积电的市场地位，仍是行业关注的焦点。
