三星与SK海力士拟2026年2月量产HBM4

据韩媒《首尔经济》援引业界消息，三星电子与SK海力士计划于2026年2月全面量产第六代高带宽存储器（HBM4）。这一时间点将使两家公司成为全球最早实现HBM4量产的企业，进一步巩固韩国在全球存储器市场的主导地位。

SK海力士计划在其位于韩国的利川M16厂和清州M15X工厂同步展开HBM4的量产。据韩媒Theelec报道，SK海力士将从2026年2月起在M15X投入HBM4用1b DRAM的量产晶圆，比原计划的2026年6月提前了4个月。这一调整显示出SK海力士对其HBM4供应能力的信心。此外，SK海力士与台积电合作，在HBM4的基础逻辑芯片中导入12纳米逻辑制程，使HBM4的带宽较前一代提升2倍，电力效率改善超过40%。

与此同时，三星也将在其位于韩国的平泽园区展开HBM4的全面量产。据悉，三星在HBM4中采用了更为先进的制程技术，这一策略的调整使其在效能方面获得了NVIDIA的高度认可，量产时间也提前至2026年2月。

相比之下，存储器市场第三大厂美光（Micron）则以2026年第二季度量产为目标，时间上稍显落后。

业内人士分析，随着三星与SK海力士的HBM4量产计划启动，NVIDIA可能会根据其进度调整下一代AI芯片的开发与发布时间。两家公司通过提前量产，不仅能够抢占HBM4初期市场的先机，还将在技术与良率方面继续保持对竞争对手的显著优势。