据韩媒DealSite 12月24日报道，SK海力士计划在明年1月上旬向英伟达提供下一代HBM4的12层最终样品。这一进展标志着双方在高性能存储器领域的合作进入关键阶段。
知情人士透露，经过电路修改的HBM4晶圆将在本月底完成流片。如果一切顺利，SK海力士将按计划向英伟达追加提供最终样品。内部人士称，只要该晶圆表现良好，相关修订问题将基本得到解决。
今年9月，SK海力士已向英伟达交付了首批HBM4客户样品。当时，为了配合英伟达紧迫的开发进度，SK海力士甚至跳过了内部产品可靠性评估环节。然而，在后续认证过程中，发现了一些需要改进的问题，特别是在SiP测试中出现了速度和可靠性方面的挑战。为此，SK海力士向英伟达提供了数万片样品，双方共同推进优化工作。
值得注意的是，从HBM4开始，SK海力士将基板芯片的生产交由台积电负责，形成了SK海力士、英伟达和台积电的“三方协作模式”。在此过程中，台积电工程师被派往SK海力士，共同参与基板芯片的联合开发。此前，SiP测试中的不良数据并未在三方之间共享，但近期台积电已开始在HBM4生产过程中向SK海力士提供相关信息，推动了三方之间的数据交流。
目前，SK海力士已具体掌握了不良产生的机制，并表示生产良率未受到明显影响。如果修改后的样品在明年1月上旬提交后能快速通过质量测试，正式量产预计将在2月至3月启动，从而为第二季度的产能提升奠定基础。
