李在熔赴美会见科技巨头，推动三星晶圆代工合作

据韩媒ET News、Money Today等综合报道，三星电子会长李在熔于2025年12月15日结束为期一周的美国出差行程后返回首尔。此次行程中，李在熔密集访问了纽约、德州奥斯汀以及加州圣荷西等地，并与多家全球科技巨头的CEO展开会面，旨在推动三星在晶圆代工领域的客户拓展。

据悉，李在熔在奥斯汀与特斯拉CEO埃隆·马斯克会面，三星晶圆代工部门的高层主管也参与了会谈。双方就晶圆代工合作方案进行了深入讨论。此外，李在熔还与AMD CEO苏姿丰会面，探讨了高带宽存储器（HBM）供应以及采用2纳米制程的晶圆代工订单等议题。

目前，三星正为AMD的AI加速器MI350供应12层HBM3E产品，而AMD计划于2026年下半年推出下一代AI加速器MI450，预计将搭载12层HBM4。业界分析认为，凭借此前与AMD在HBM领域的合作经验，三星有望在MI450的HBM4供应合约中占据优势。若三星能在2纳米制程量产中争取到AMD的订单，将有助于缩小与台积电之间的差距。

此外，李在熔还前往加州圣荷西视察了三星半导体暨装置解决方案部门的美洲总部（DSA）。据相关人士透露，李在熔在赴美期间还与Meta董事长马克·扎克伯格、英特尔CEO陈立武以及高通CEO克里斯蒂亚诺·阿蒙等重要企业人士会面。此次出差成果将为三星完善2026年事业蓝图提供重要参考。