京仪装备成功适配192层3D NAND产线

据京仪装备透露，公司已成功适配国内最先进的192层3D NAND存储芯片制造产线。这一技术突破为多层堆叠3D NAND芯片的大规模量产提供了重要保障，覆盖64层至192层的多种制程需求。

京仪装备的半导体专用温控设备广泛应用于长江存储、中芯国际、华虹集团以及大连英特尔等国内主流IC制造企业。其设备覆盖逻辑芯片制造的90nm至14nm工艺节点，展现了其在技术上的领先优势。

随着3D NAND存储芯片的层数向192层甚至200层以上演进，刻蚀、薄膜沉积及温控等设备的技术要求显著提升。京仪装备的设备以其高精度和稳定性，成功满足了这些先进制程的需求。

作为国产半导体设备细分领域的领先企业，京仪装备的技术突破加速了国内半导体设备的国产替代进程，提升了产业链的自主可控能力。根据招股书及近期市场表现，公司下半年业绩增长稳健，其产品在高端3D NAND制造领域的适配能力获得了市场的高度认可。