据韩媒Dailian援引业界消息，三星电子近期决定将平泽第四工厂（P4）的第二阶段（Ph2）从原本规划的晶圆代工生产空间，转为生产第六代高带宽存储器（HBM4）所需的核心元件1c DRAM。这一调整旨在应对NVIDIA、Google、亚马逊及微软等全球大型客户对HBM需求的快速攀升。
三星此举与此前宣布的平泽第五工厂（P5）提前至2027年5月完工，以及P4厂第四阶段（Ph4）提前至2026年第4季完成的计划相呼应。Ph2的正式施工预计在2026年第2季启动，目标是2027年上半年完成投产准备。据某位知情人士透露，这些调整是为了消化大量HBM4订单，满足下一代产品需求的快速增长。
韩国业界普遍预测，2026至2028年间，HBM4及HBM4E等产品将迎来出货高峰。摩根士丹利曾指出，存储器产业正因AI发展进入超级繁荣周期，需求激增导致供应短缺，半导体景气循环的顶峰预计将在2027年前后到来。
此外，HBM4在良率与封装难度上较前代产品大幅提升，因此提前扩产以确保制程稳定显得尤为重要。相较于竞争对手SK海力士和美光分别采用1b DRAM生产HBM4，三星选择以更先进的1c DRAM为基础，抢先布局市场。韩国业界相关人士表示，三星正试图将应变能力发挥到极致，以应对HBM需求的迅速增长。
