据联电12月8日宣布，其已与比利时微电子研究中心（Imec）签署技术授权协议，获得Imec的iSiPP300硅光子制程技术。该技术具备共同封装光学（CPO）兼容性，将助力联电推出12寸硅光子平台，满足未来高速连接应用需求。
随着人工智能（AI）数据负载的快速增长，传统铜互连技术逐渐面临瓶颈。硅光子技术通过光传输数据，成为数据中心、高效运算（HPC）及网络基础设施实现超高带宽、低延迟和高能源效率的关键解决方案。
联电表示，将结合Imec在12寸硅光子制程上的成熟技术，以及自身在绝缘层上覆矽（SOI）晶圆制程领域的专业经验，进一步推动光子芯片（PIC）平台的开发。联电此前已在8寸硅光子技术上实现量产，此次合作将加速其12寸平台的布局。据透露，联电正与多家客户合作，预计在2026年和2027年针对光收发器的光子芯片展开风险试产。
此外，未来系统架构将向更高整合度发展，例如CPO与光学I/O技术，为数据中心内部及跨数据中心提供高带宽、低能耗的光互连解决方案。Imec IC-Link指出，其iSiPP300平台采用微环型调变器和锗矽（GeSi）电致吸收调变器（EAM），并搭配低损耗光纤界面及3D封装模块，已在12寸晶圆上验证了先进的CMOS制程。
在多方合作方面，联电近期动作频频。除了与英特尔（Intel）达成合作外，还与美国晶圆代工厂Polar Semiconductor签署合作备忘录（MOU）。根据协议，双方将评估在Polar位于美国明尼苏达州的8寸厂生产的产品，并选定具体项目。此举旨在强化美国本土的8寸晶圆制造能力，确保汽车、电网、机器人制造及数据中心等产业所需的关键功率半导体供应稳定。
