据韩媒Money Today报道，三星电子已向客户交付12层HBM4产品，正在进行效能测试，客户反馈积极。预计12月初完成生产准备就绪批准（PRA），最快2025年底前，NVIDIA等合作伙伴将陆续公布品质测试结果。搭载HBM4的NVIDIA次世代GPU Rubin预计于2026年下半年量产，HBM4的出货时间点预估在2026年第二季度。
三星在HBM4上的数据传输速率达每秒11Gb，带宽提升至2.8TB/s，约为上一代的2.3倍，能源效率提升40%。这一突破主要得益于业界首创的1c DRAM制程。三星在HBM4开发初期便对其效能充满信心，甚至促使NVIDIA调高HBM4速度标准。此外，HBM4不仅将用于NVIDIA的GPU，还将搭载于Google下一代TPU，预计TPU市场规模将持续扩大。
三星晶圆代工事业部的业绩也将因HBM4的销售增加而改善。HBM4核心组件“基础裸晶”由三星晶圆代工4纳米制程生产。三星将基础裸晶约25%的面积保留为“灰色区域”，可依客户需求额外整合HBM控制器、外部界面或小型AI引擎等元件，提升电源效率与系统效能。
SK海力士的HBM4基础裸晶委托台积电生产，美光则计划维持使用传统DRAM基础裸晶，这使三星在基础裸晶的生产与供应上具有相对的领先优势。此外，三星晶圆代工在2~5纳米制程订单持续增加，2纳米制程的智能手机应用处理器（AP）Exynos 2600即将量产，预计将搭载于三星2026年推出的Galaxy S26系列。
曾经单季亏损达2万亿韩元（约14亿美元）的三星晶圆代工事业部，传2025年第三季度已缩减至1万亿韩元以下。三星目标是在2027年左右实现晶圆代工事业的转亏为盈。
