台积电披露HBM4E技术进展：能效大幅提升

在全球高带宽存储器（HBM）市场竞争日益激烈的情况下，台积电在阿姆斯特丹OIP生态论坛上公布了其客制化HBM4E（C-HBM4E）技术的最新进展。据台积电披露，C-HBM4E将采用N3P制程，工作电压从0.8伏特降至0.75伏特，能源效率较现有DRAM制程提升了约2倍。此外，C-HBM4E的基底芯片将首次整合内存控制器与物理接口（PHY），而这些功能过去通常由GPU或TPU主芯片承担。

台积电还计划以N12制程制造标准HBM4的基底芯片，其工作电压从1.1伏特降至0.8伏特，能效提升约1.5倍。目前，美光已委托台积电代工其HBM4E逻辑基底芯片，目标是在2027年实现量产。与此同时，SK海力士计划在2026年下半年推出首款定制HBM4E，其高端版本将采用3纳米级制程，用于英伟达旗舰GPU和谷歌TPU。