据韩国媒体报道，三星对其存储芯片业务进行了大规模组织架构调整，旨在增强下一代存储芯片领域的竞争力。此次调整中，三星成立了一个全新的存储技术开发部门，此前独立运作的高带宽内存（HBM）团队也被重新纳入该部门。
新部门由现任DRAM产品与技术团队负责人Hwang Sang-joon领导。他此前主导了三星高价值DRAM和HBM产品的开发工作，因表现突出而获此任命。新部门的核心任务是整合关键研发功能，特别是加速HBM技术的开发，目标包括即将推出的第六代HBM4和第七代HBM4E产品。
此前，三星曾于2025年7月将HBM团队独立出来，以应对DRAM市场份额被SK海力士超越的局面，并集中资源解决良率和稳定性问题。然而，随着技术逐步成熟，HBM团队重新并入存储开发部门，显示出三星对其HBM相关开发和制造流程的信心。
与此同时，三星正积极推进HBM4芯片的研发，目标客户包括英伟达等重要企业。在DRAM技术方面，三星已率先采用第六代1c等级技术，而多数竞争对手仍停留在第五代1b等级。据消息人士透露，三星1c DRAM的良率近期已提升至70%，并计划进一步优化至80%-90%，以巩固其在人工智能（AI）和高性能计算（HPC）市场的领先地位。
