据韩媒ZDNet Korea援引业界消息,三星电子近日宣布进行组织架构调整,新设存储器开发组织,并将高带宽存储器(HBM)开发团队纳入其中。此举被外界解读为三星欲加速新一代存储器产品研发,以重新夺回在AI存储器市场的主导权。
据悉,此次调整后,DRAM开发室长黄相准(音译)被任命为新设组织的负责人。黄相准是三星内部推动高附加价值DRAM和HBM研发的核心人物,曾发表过多篇与DRAM技术相关的文章。HBM开发团队将并入新组织的设计团队,继续推进第六代(HBM4)和第七代(HBM4E)高带宽存储器的研发工作。
在HBM领域,三星此前因技术进程和市场布局落后于SK海力士,导致市场份额处于劣势。为扭转局面,三星在2024年7月单独设立了HBM开发团队,集中资源解决良率和产品稳定性问题。近期,三星成功向NVIDIA供应第五代高带宽存储器(HBM3E),被韩媒视为技术实力恢复的重要信号。
目前,三星正专注于为NVIDIA等客户开发HBM4供应方案。与SK海力士采用的第五代10纳米级(1b)DRAM不同,三星选择了更先进的第六代10纳米级(1c)DRAM技术,以提升产品竞争力。据韩媒Dealsite报道,三星内部评估认为其HBM4在核心性能上优于SK海力士的产品。因此,在HBM4的价格谈判中,三星已调整策略,与SK海力士保持相同单价。