三星电子重组HBM团队，全力冲刺高端存储市场

11月27日，三星电子宣布对其高带宽存储器（HBM）开发团队进行重大组织调整。据韩媒报道，公司决定撤销隶属于半导体业务DS部门的HBM开发团队，将相关人员整体划归DRAM开发室。这一调整引发了市场对三星HBM业务推进节奏及内部协同机制的关注。

此次调整后，原HBM开发团队成员将并入DRAM开发室下属的设计团队，继续专注于下一代HBM产品和技术的研发工作。此前负责HBM团队的孙永洙被任命为设计团队负责人，主导HBM相关项目的推进。未来，团队将围绕HBM4和HBM4E等新一代产品展开设计优化与工艺验证。三星电子计划本周内完成组织架构调整，并于下月初召开全球战略会议，评估明年的业务规划。

近年来，三星电子持续加大在HBM领域的投入，与英伟达、超威半导体（AMD）、OpenAI、博通等科技巨头建立了紧密合作关系。公司基于HBM3和HBM3E的量产经验，专注于提升堆叠封装、带宽、能效及可靠性等核心竞争力。韩媒分析认为，将HBM开发力量整合进DRAM开发体系，有助于在制程演进、设计验证与量产导入方面实现更高效的协同。

从市场表现来看，三星电子在今年第二季度的全球HBM市场份额排名一度跌至第三位，短期内面临较大竞争压力。不过，随着HBM4供应规模的逐步扩大，公司预计明年其市场份额将实现回升。市场调研机构TrendForce预测，到2026年，三星电子在全球HBM市场的占有率有望超过30%，这成为公司强化先进存储业务布局的重要参考。