据韩媒首尔经济等报道，三星电子计划将位于韩国平泽与华城园区的部分NAND Flash产线转为DRAM生产设施，以满足DRAM需求的急剧增长。平泽的P4厂也将被打造成1c DRAM制程的专用产线，预计从2026年开始运作。
目前，三星在平泽P1厂与华城园区的产线为同时生产DRAM与NAND的“混合产线”。三星计划缩减这两处的NAND产能，转而增加DRAM产能。此外，正在进行收尾工程的平泽P4厂将采用10纳米1c DRAM制程，并且原计划用于晶圆代工的P4二区也可能改为生产DRAM。
全球科技企业正大力投入AI基础设施建设，DRAM供不应求的情况愈发明显。据分析，目前DRAM市场需求是三星、SK海力士、美光三大存储器厂商供给能力的3倍。甚至有企业提出将高容量服务器用DRAM的价格提高70%，但仍因供应不足无法取得货量。
为应对这一趋势，三星计划调整生产策略。据此前韩媒Chosun Biz援引市调机构Omdia数据，三星已将2025年的NAND生产目标较2024年下调约7%，且至2026年也将持续减产。韩国国内减少的NAND产量将通过提升西安工厂的产量来弥补。
业界人士指出，NAND供应商众多，而DRAM市场主要由三大厂商主导，因此增加DRAM生产有助于提升整体获利结构。
