据韩媒ET News援引业界消息，三星电子计划到2026年底前将第六代10纳米级（1c）DRAM的月产能提升至20万片。此举被视为三星应对人工智能（AI）需求激增的重要战略。
三星计划分阶段扩产：2025年底前实现6万片月产能，2026年第二季度前新增8万片，第四季度再增加6万片。扩产将通过现有DRAM产线的制程转换以及平泽四厂（P4）的新投资完成。此时间表以设备建置完成的“Setup”阶段为基准，确保各时间节点具备量产能力。
目前，三星整体DRAM月产能约为65万至70万片，20万片的扩产规模相当于其总产能的三分之一。这一数字远超2022年半导体繁荣期投资的13万片DRAM产能，显示出三星对1c DRAM市场的高度重视。
据韩媒分析，随着高带宽存储器（HBM）和通用DRAM出现缺货，三星完成1c DRAM开发后启动大规模扩产，旨在通过量产具竞争力的产品抢占市场。此前，韩媒ZDNet Korea报道称，三星自2024年下半年开始调整1c DRAM设计，扩大芯片尺寸以提升良率。目前，1c DRAM良率已达到70%，接近稳定生产目标（80%-90%），而基于1c DRAM制造的HBM4良率也超过50%。
此外，三星集团于2025年11月16日宣布，未来5年将在韩国投入450万亿韩元（约合3107亿美元）用于制造与研发。三星方面预计存储器中长期需求将持续增长，因此计划提前确保产能。
值得注意的是，HBM由多层DRAM堆叠而成，若HBM销售不佳，可能影响DRAM出货量。在此背景下，三星此次扩产能否助其重夺“全球DRAM市场龙头”地位备受关注。对此，三星相关人士表示，为应对快速增加的需求，公司正在评估多种方案，但具体投资计划尚未披露。
