据报道，三星电子正全力推进10纳米级第六代（1c）DRAM设备的导入，计划在明年初启动HBM4的量产。这一动作旨在追赶SK海力士，后者已率先与辉达签署供应合约并进入量产阶段。
目前，三星在平泽园区的第二厂（P2）已完成1c DRAM设备的建置，同时在第三厂（P3）和第四厂（P4）同步导入新设备，以扩充先进制程产能。据透露，三星预计本月完成最终客户样品的内部可靠度测试（PRA），随后将样品送交辉达进行GPU整合验证。若进展顺利，产品有望于明年下半年正式出货。
三星此前在P2和P3厂主要生产前一代DRAM产品，但随着市场需求转向高效能与高频宽应用，公司逐步减产旧制程芯片，并将部分产线改造为最新的1c制程。目前，HBM4的核心生产据点P4厂计划于明年启动。主晶圆厂PH1已同时运作NAND与1c DRAM产线，PH3自6月起导入新设备，PH4正在建设中，而PH2预计在年底或明年初开工。
尽管1c制程开发进展稳定，但量产良率仍是三星面临的最大挑战。目前，以1c制程生产的HBM4样品良率约为50%，尚未达到量产门槛。由于HBM4采用多层堆叠结构，晶粒面积较前代HBM3E更大，同一晶圆可产生的良品数量相对减少，导致良率提升速度缓慢。为此，三星强化后段封装流程，并与韩美半导体展开合作，以提升堆叠精度与整体制程品质。分析指出，若能将HBM4晶圆良率提高至70%以上，将具备转入量产的条件。
业界普遍认为，三星此举与辉达明年下半年推出的次世代AI加速器Rubin时程密切相关。考虑到SK海力士已于9月宣布完成HBM4量产体系，三星的设备导入与产线改造已进入最后阶段，但能否在短期内达到稳定良率，仍需观察。
